WLXB6000 (SiC Wafer Level)
SiC晶圓高溫老化測試系統(tǒng)+晶圓上下料機
適用于8英寸及以下、同時5片晶圓獨立高溫柵偏試驗HTGB、高溫反偏試驗HTRB、Vth測試及老化篩選。
系統(tǒng)符合并滿足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等試驗標準；提供API接口，開放設(shè)備狀態(tài)、通道狀態(tài)、試驗數(shù)據(jù)、失效數(shù)據(jù)等對外接口，可部署在私有云或者公有云上，實現(xiàn)實驗室設(shè)備、工作人員、任務(wù)及數(shù)據(jù)的數(shù)字化管理，提升試驗效率及試驗規(guī)范化、標準化程度；配備老化夾具搬運機構(gòu)，實現(xiàn)上下料機和老化測試臺之間老化夾具搬運；搬運機構(gòu)具備自動升降功能，手動或自動運動到上下料機和測試臺，自動從上下料機和老化測試臺工位取放夾具；常溫下晶圓Die上的壓痕為點狀，隨機選取若干壓痕點位進行測量，壓痕深度200~400nm。
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┃ 試驗數(shù)量 |
整機支持3840（768*5）個通道同時老化; |
┃ 試驗溫度 |
每區(qū)加熱臺室溫～200℃，準確性±2℃，溫度過沖≤3℃; |
┃ HTRB ┃ IDSS電流檢測 |
電壓0～2000V，分辨率1V; 0.1μA～1mA，分辨率0.1uA，檢測精度±(1%rdg.+2LSB) |
┃ HTGB ┃ IGSS電流檢測 |
電壓±60V，分辨率0.1V; 10pA～100uA，分辨率10pA，檢測精度±(1%rdg.+50pA) |
┃ 閾值電壓檢測 ┃ 保護氣壓
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0-10.0V，分辨率0.1V; 0～4bar惰性氣體
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研發(fā)&制造
售后支持
銷售服務(wù)
